东芝推导通电阻仅26mΩ的75V耐压n沟道型功率MOSFET

新产物的最大持续漏极电流为150A，最大脉冲漏极电流为500A。栅极的阈值电压方面，最大值为+2.0V、最小值为+4.0V。栅极的漏电流为0.1A（最大值）。

栅极电荷量为72nC（标称值）。栅极开关所需要的电荷量（QSW）仅为28nC（标称值），因而可以或许实现高速的开关动作。输入电容为4600pF（标称值），皇冠正网 http://user.qzone.qq.com/3183945119输出电容为1100pF（标称值），反馈电容为50pF（标称值），栅极电阻为1.0（标称值）。新产物采用外形尺寸为5mm×6mm×0.95mm的SOP Advance封装。价钱尚未发布。（特约撰稿人：山下 胜己）

据引见，新产物采用了东芝独有的工艺手艺“U-MOSVIII-H”，“实现了业界的低导通电阻特征和高速开关特征”。该产物次要用于办事器和通信设备等配备的开关电源（AC-DC转换器）和DC-DC转换器。

东芝推出了导通电阻仅有2.6m（栅源间电压为+10V时的最大值）的75V耐压n沟道型功率MOSFET“TPH2R608NH”。

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